半導體工業中大部分使用的材料為矽(silicon)。然而隨著高壓高頻的電子零件應 用領域出現，如5G新世代通訊、智慧車用、高頻率功率轉換器、綠能、航空，以及軍事科技等，矽的性能已無法應付，必須仰賴具有高能隙特性的SiC。
根據新世代半導體特性分析，SiC屬於高能隙(bandgap)材料，具有優異的崩潰電壓(breakdown field)，且本質載體濃度(intrinsic carrier concentration)遠低於矽，在高壓的操作環境下依舊保持穩定性，不易產生漏電流，相當適用於高功率轉換器(power converter)等功率元件上；此外，SiC擁有高於矽2~3倍之熱導
性(thermal conductivity)，相較於矽，更能將零件所產生的熱有效地帶出系統，相當適用於承載氮化鎵(gallium nitride，GaN)，以GaN on SiC的方式作為高頻或射頻元件。
SiC儼然成為新應用的理想選擇，世界各地也積極地投入相關產業鏈中，如簡單上下游產業鏈可分為SiC晶圓、磊晶成長和功率及射頻元件，未來投入市場的廠商也在逐漸增加。
