碳化矽(SiC)功率電子是加速電動車時代到來的主要動能。以SiC MOSFET取代目前的Si IGBT，不僅能使切換損失降低80%以上，大幅縮減電力移轉時的能源損耗，同時也可讓晶片模組尺寸微縮至原本的1/10，此將有助於電動車之性能提升，達到延長續航里程及縮短充電時間的功效。市調機構YoleDéveloppement預估，到2025年時，電動車與充電樁應用領域的SiC市場規模將達到17.78億美元，約佔總體SiC應用市場的70%左右。
在各國綠能減碳政策及補貼傾力推動下，全球電動車市場正在蓬勃發展。隨著近兩年各大車廠陸續推出800V高壓車型產品，快速帶動了SiC基板材料的需求爆發。根據TrendForce研究顯示，2025年全世界電動車市場對6吋SiC晶圓需求量將可達169萬片。然而，目前全球SiC晶圓總年產量僅約在40~60萬片，且主流尺寸仍是以6吋晶圓為主，遠不足產業鏈下游基板的需求數量。事實上，生產SiC基板最困難的地方在於長晶技術，現有製程不僅複雜且晶體生長緩慢，欲大量製造難度極高。市場上具有SiC晶圓量產能力的公司，仍僅少數幾家而已，其中Wolfspeed (原為Cree)為全球最主要的供應商，單就一家的出貨量即佔市場總產能約50%，其次是Rohm及II-VI，兩家合計約佔市場總數35%。
由於SiC晶圓製造技術困難並且市場供應量嚴重不足，使得SiC元件成本非常昂貴，其中基板部份就已佔了晶片總成本的50%。面對全球車用SiC功率元件市場的龐大商機，近期許多知名SiC晶片製造商相繼透過收購、或與晶圓供應商策略合作等方式，藉以擴大產能來獲取穩定的晶圓供應，誰能及時掌握上游SiC基板的量產關鍵技術，就能取得未來第三類半導體霸權時代的領先地位。