碳化矽(SiC)技術可提供更高的效率、更小的尺寸及更低的成本，並且降低了更智慧的電源設計冷卻要求。寬能隙(WBG)半導體技術在功率電子元件中的應用越來越多。 

與傳統的矽技術相比，SiC和氮化鎵(GaN)半導體材料顯現卓越的性能，使功率元件能夠在高電壓尤其是高溫和高開關頻率下工作。功率電子系統的設計人員正努力研究如何充分利用GaN和SiC元件的優勢。

矽早已是大多數電子應用中的關鍵半導體材料，但與SiC相比，則顯得效率低下。SiC現在已開始被多種應用採納，特別是電動車(EV)，以應對開發高效率和高功率元件所面臨的能源和成本挑戰。