格物致知,棋布星羅

高周波通信

半導體工業中大部分使用的材料為矽(silicon)。然而隨著高壓高頻的電子零件應 用領域出現,如5G新世代通訊、智慧車用、高頻率功率轉換器、綠能、航空,以及軍事科技等,矽的性能已無法應付,必須仰賴具有高能隙特性的SiC。 

根據新世代半導體特性分析,SiC屬於高能隙(bandgap)材料,具有優異的崩潰電壓(breakdown field),且本質載體濃度(intrinsic carrier concentration)遠低於矽,在高壓的操作環境下依舊保持穩定性,不易產生漏電流,相當適用於高功率轉換器(power converter)等功率元件上;此外,SiC擁有高於矽2~3倍之熱導
性(thermal conductivity),相較於矽,更能將零件所產生的熱有效地帶出系統,相當適用於承載氮化鎵(gallium nitride,GaN),以GaN on SiC的方式作為高頻或射頻元件。

SiC儼然成為新應用的理想選擇,世界各地也積極地投入相關產業鏈中,如簡單上下游產業鏈可分為SiC晶圓、磊晶成長和功率及射頻元件,未來投入市場的廠商也在逐漸增加。

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