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6インチN-typeウエハー

GCCSは化合物材料応用分野の専門
6インチN-typeウエハー仕様
6インチN-typeウエハー仕様
Grade Unit Production Grade Dummy Grade
Diameter
um
149.75±0.25
149.75±0.5
Thickness
um
350±25
350±50
Orientation
degree
4.0±0.5[11-20]
Primary Flat Orientation
degree
{10-10}± 5
Primary Flat Length
mm
47.5± 2
Micropipe Density
e.a/cm2
≦1
≦15
Resistivity
Ohm · cm
0.015~0.028
0.015~0.03
Edge Exclusion
e.a/cm2
3
LTV/TTV/Bow/Warp
um
≦2/≦5/≦25/≦40
≦5/≦15/≦40/≦60
Roughness
um
≦0.2
≦0.5
Cracks By High Intensity Light
mm
None
≦20
Hex Plates By High Intensity Light
%
Cumulative area≦0.05%
Cumulative area≦0.1%
Polytype Areas By UV lamp
um
None
Cumulative area≦3%
Visual Carbon Inclusions
%
Cumulative area≦0.05%
Cumulative area≦3%
Silicon Surface Scratches By Optical
mm
≦ 1/2 Diameter
≦ Diameter
Edge Chips By High Intensity Light
pcs
Permitted≦0.2mm width and depth
Permitted≦0.5mm width and depth
Threading Screw Dislocation
e.a/cm2
≦500
NA
Contamination By High Intensity Light
%
None
None
Features

提供電動大巴

隨著 5G、電動車時代來臨,目前 GaAs 和 Si 的溫度、頻率、功率已達極限。
當溫度過高時,前兩種材料容易產生故障,加上全球開始重視碳排放問題,因此高能效、低能耗的「碳化矽」(SiC)和「氮化鎵」(GaN)成為新一代發展。

提供電動車輛

隨著 5G、電動車時代來臨,目前 GaAs 和 Si 的溫度、頻率、功率已達極限。
當溫度過高時,前兩種材料容易產生故障,加上全球開始重視碳排放問題,因此高能效、低能耗的「碳化矽」(SiC)和「氮化鎵」(GaN)成為新一代發展。

提供太陽能

隨著 5G、電動車時代來臨,目前 GaAs 和 Si 的溫度、頻率、功率已達極限。
當溫度過高時,前兩種材料容易產生故障,加上全球開始重視碳排放問題,因此高能效、低能耗的「碳化矽」(SiC)和「氮化鎵」(GaN)成為新一代發展。

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