格棋科技6英吋N-Type碳化矽晶體產品標準
6 inch Silicon Carbide Ingot specification
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等級 Grade |
單位 Unit |
產品級 Production Grade |
測試級 Dummy Grade |
|---|---|---|---|
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直徑 Diameter |
um |
150±0.35 |
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厚度 Thickness |
um |
>8mm |
>5mm |
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主軸方向 Orientation |
degree |
4.0±1.5[11-20] |
4.0±2[11-20] |
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主定位邊方向 Primary Flat Orientation |
degree |
{10-10}± 5 |
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主定位邊長度 Primary Flat Length |
mm |
46.9± 2 |
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微管密度 Micropipe Density |
e.a/cm2 |
≦1 |
≦15 |
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電阻率 Resistivity |
Ohm · cm |
0.015~0.028 |
0.015~0.03 |
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裂紋(強光燈檢驗) Cracks By High Intensity Light |
mm |
None |
None |
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六方孔洞(強光燈檢驗) Hex Plates By High Intensity Light |
% |
None |
None |
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多形(紫外光檢驗) Polytype Areas By UV lamp |
um |
None |
None |
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崩角(強光燈檢驗) Edge Chips By High Intensity Light |
pcs |
Permitted≦0.2mm width and depth |
Permitted≦0.5mm width and depth |
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螺旋位錯 Threading Screw Dislocation |
e.a/cm2 |
≦500 |
NA |
Features
提供電動大巴
隨著 5G、電動車時代來臨，目前 GaAs 和 Si 的溫度、頻率、功率已達極限。
當溫度過高時，前兩種材料容易產生故障，加上全球開始重視碳排放問題，因此高能效、低能耗的「碳化矽」（SiC）和「氮化鎵」（GaN）成為新一代發展。
提供電動車輛
隨著 5G、電動車時代來臨，目前 GaAs 和 Si 的溫度、頻率、功率已達極限。
當溫度過高時，前兩種材料容易產生故障，加上全球開始重視碳排放問題，因此高能效、低能耗的「碳化矽」（SiC）和「氮化鎵」（GaN）成為新一代發展。
提供太陽能
隨著 5G、電動車時代來臨，目前 GaAs 和 Si 的溫度、頻率、功率已達極限。
當溫度過高時，前兩種材料容易產生故障，加上全球開始重視碳排放問題，因此高能效、低能耗的「碳化矽」（SiC）和「氮化鎵」（GaN）成為新一代發展。
