格棋科技6英吋N-Type碳化矽晶圓產品標準
6 inch Silicon Carbide wafer specification
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等級 Grade |
單位 Unit |
產品級 Production Grade |
測試級 Dummy Grade |
|---|---|---|---|
|
直徑 Diameter |
um |
149.75±0.25 |
149.75±0.5 |
|
厚度 Thickness |
um |
350±25 |
350±50 |
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主軸方向 Orientation |
degree |
4.0±0.5[11-20] |
|
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主定位邊方向 Primary Flat Orientation |
degree |
{10-10}± 5 |
|
|
主定位邊長度 Primary Flat Length |
mm |
47.5± 2 |
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|
微管密度 Micropipe Density |
e.a/cm2 |
≦1 |
≦15 |
|
電阻率 Resistivity |
Ohm · cm |
0.015~0.028 |
0.015~0.03 |
|
邊緣去除 Edge Exclusion |
e.a/cm2 |
3 |
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面型 LTV/TTV/Bow/Warp |
um |
≦2/≦5/≦25/≦40 |
≦5/≦15/≦40/≦60 |
|
表面粗糙度 Roughness |
um |
≦0.2 |
≦0.5 |
|
裂紋(強光燈檢驗) Cracks By High Intensity Light |
mm |
None |
≦20 |
|
六方孔洞(強光燈檢驗) Hex Plates By High Intensity Light |
% |
Cumulative area≦0.05% |
Cumulative area≦0.1% |
|
多形(紫外光檢驗) Polytype Areas By UV lamp |
um |
None |
Cumulative area≦3% |
|
碳包裹物 Visual Carbon Inclusions |
% |
Cumulative area≦0.05% |
Cumulative area≦3% |
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矽面刮傷(光學檢測) Silicon Surface Scratches By Optical |
mm |
≦ 1/2 Diameter |
≦ Diameter |
|
崩角(強光燈檢驗) Edge Chips By High Intensity Light |
pcs |
Permitted≦0.2mm width and depth |
Permitted≦0.5mm width and depth |
|
螺旋位錯 Threading Screw Dislocation |
e.a/cm2 |
≦500 |
NA |
|
髒污(強光燈檢驗) Contamination By High Intensity Light |
% |
None |
None |
Features
提供電動大巴
隨著 5G、電動車時代來臨，目前 GaAs 和 Si 的溫度、頻率、功率已達極限。
當溫度過高時，前兩種材料容易產生故障，加上全球開始重視碳排放問題，因此高能效、低能耗的「碳化矽」（SiC）和「氮化鎵」（GaN）成為新一代發展。
提供電動車輛
隨著 5G、電動車時代來臨，目前 GaAs 和 Si 的溫度、頻率、功率已達極限。
當溫度過高時，前兩種材料容易產生故障，加上全球開始重視碳排放問題，因此高能效、低能耗的「碳化矽」（SiC）和「氮化鎵」（GaN）成為新一代發展。
提供太陽能
隨著 5G、電動車時代來臨，目前 GaAs 和 Si 的溫度、頻率、功率已達極限。
當溫度過高時，前兩種材料容易產生故障，加上全球開始重視碳排放問題，因此高能效、低能耗的「碳化矽」（SiC）和「氮化鎵」（GaN）成為新一代發展。
